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SLM2009
200V低压驱动芯片
样片申请
SLM2009 Datasheet
产品概述
产品特性
安规认证
典型应用图
产品概述

SLM2009 是一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器。采用专有的高压集成电路和锁存免疫的CMOS技术可提供可靠的单芯片驱动方案。逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容,最低支持3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,以减小驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT,工作电压可高达200V。

产品特性

为自举操作设计的浮动通道

完全运行时电压高达 200V

容许瞬间负电压,不受 dV/dt 影响

驱动电源范围从 10V 到 18V

欠压闭锁

3.3V、5V 逻辑输入兼容

驱动电流 :1A/1.5A

防止交叉导通逻辑

两通道间匹配传输延迟

输出信号与输入信号同相

通过无铅认证

提供 SOP-8 封装选项

典型的开通/关断延时:150 ns/150 ns

死区时间:110 ns

安规认证
典型应用图

2009.png

产品参数表

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Part Number Power Switch IOH/IOL (A) Bus voltage (Max)(V) Input VCC (V) Ton/Toff Typ(ns) Tr/Tf Typ(ns) Deadtime Typ(ns) Delay Match Max(ns) Operating Temp(℃) Package Group Packing/QTY
SLM2009CA-DGIGBT/ MOSFET1/1.520010-18150/15025/1011060-40-125SOP8Reel/4000
应用案例